Impact of the top DBR in GaAs-based VCSELs on the threshold current and the cavity photon lifetime
PBN-AR
Instytucja
Wydział Fizyki Technicznej, Informatyki i Matematyki Stosowanej (Politechnika Łódzka)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
PROCEEDINGS OF SPIE
ISSN
0277-786X
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2018
Numer zeszytu
Strony od-do
Numer tomu
10552
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Konferencja
Indeksowana w Scopus
nie
Indeksowana w Web of Science Core Collection
nie
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
Nazwa konferencji
SPIE Photonics West
Początek konferencji
2018-01-27
Koniec konferencji
2018-02-01
Lokalizacja konferencji
San Francisco
Kraj konferencji
US
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Cechy publikacji
discipline:Elektronika
discipline:Fizyka
discipline:Telekomunikacja
discipline:Electronics
discipline:Physics
discipline:Telecommunications
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:856900
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych