Mechanical properties of boron nitride thin films prepared by atomic layer deposition
PBN-AR
Instytucja
Centrum Nanobiomedyczne (Uniwersytet im. Adama Mickiewicza w Poznaniu)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
CRYSTENGCOMM (35pkt w roku publikacji)
ISSN
1466-8033
EISSN
Wydawca
ROYAL SOC CHEMISTRY
DOI
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
41
Strony od-do
6089-6094
Numer tomu
19
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Streszczenia
Język
en
Treść
Due to their wide bandgap, boron nitride (BN) thin films are the focus of interest for their potential applications in microelectronic devices. The reliability of these devices is essential and is directly linked to the mechanical properties of the films used for their fabrication. Herein, an atomic layer deposition (ALD) process based on sequential pulses of BBr3 and NH3 at 750 °C is used in order to prepare BN thin films. We report the main physicochemical properties of the films using various analytical methods. We also performed nanoindentation experiments in order to determine the elastic modulus and the hardness. Next, we annealed the films at 1000 and 1350 °C in order to gain understanding on the relation between the annealing temperature, the microstructure obtained and the resulting mechanical properties. Although the hardness of the films presents similar values of 5 ± 1 GPa for all temperatures, it has been found that the elastic modulus increases up to 150 ± 9 GPa when applying an annealing treatment of 1350 °C, which represents a 37% improvement compared to the initial film prepared at 750 °C. © 2017 The Royal Society of Chemistry.
Cechy publikacji
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:873939
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych