Graphene-based magnetoresistance device utilizing strip pattern geometry
PBN-AR
Instytucja
Centrum Zaawansowanych Technologii (Uniwersytet im. Adama Mickiewicza w Poznaniu)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
angielski
Czasopismo
Applied Physics Letters (40pkt w roku publikacji)
ISSN
0003-6951
EISSN
1077-3118
Wydawca
AMER INST PHYSICS
DOI
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
4
Strony od-do
043503
Numer tomu
110
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 4
Streszczenia
Język
angielski
Treść
The idea of a raster pattern magnetoresistor made of thin films of III–V compounds and a metallic layer has been known for over fifty years. Based on this knowledge, we present the construction of a magnetoresistor made of combined graphene and metallic strip patterns. The presented device is implemented using a monolayer of graphene epitaxially grown on a semi-insulating substrate. A graphene strip pattern magnetoresistor gives a promising wide range of practical applications due to its very high sensitivity combined with the mono-atomic thickness of the sensitive layer, the simplicity of realization, and a very convenient principle of sensor operation assuming only the usage of two electrical terminals.
Cechy publikacji
oryginalny artykuł naukowy
Inne
System-identifier
PX-5ba53ecbd5ded40a45cd8802
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych