Ultra-fast epitaxial growth of ZnO nano/microrods on a GaN substrate, using the microwave-assisted hydrothermal method
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
angielski
Czasopismo
Materials Chemistry and Physics (35pkt w roku publikacji)
ISSN
0254-0584
EISSN
Wydawca
ELSEVIER SCIENCE SA
DOI
URL
Rok publikacji
2018
Numer zeszytu
Strony od-do
16-22
Numer tomu
205
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
angielski
Hydrothermal synthesis
ZnO nanorods
Epitaxy
Open access
Tryb otwartego dostępu
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Licencja otwartego dostępu
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Data udostępnienia w sposób otwarty
Streszczenia
Język
angielski
Treść
Well-aligned ZnO nano/micro-rods with identical crystallographic orientation were synthesized on a c-plane GaN template, using a microwave-assisted hydrothermal method at 50 °C for duration of 2 min. The ZnO nanorods exhibited true epitaxial growth, in contrast to most of the previously reported methods, which involve nucleation on a ZnO buffer layer pre-deposited on the substrate. Homogeneous in-plane alignment as well as the c-axis orientation were confirmed by X-ray diffraction measurements and TEM analysis. More importantly, in the photoluminescence spectra of the nanorods a strong, narrow excitonic emission and an extremely weak deep level emission were observed, indicating high optical quality. The diameter was controlled by adjusting pH of the solution used in the growth process. The main achievement of the research was the opportunity to obtain oriented, high quality ZnO nano/microrods, using a surprisingly quick, cheap, and safe growth process, without the use of toxic substances or ultra-high purity compounds.
Język
Treść
Inne
System-identifier
PX-5ac5ca96d5de32683f7a947f
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych