Atomic configurations in AP-MOVPE grown lattice-mismatched InGaAsN films unravelled by X-ray photoelectron spectroscopy combined with bulk and surface characterization techniques
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (Politechnika Wrocławska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
eng
Czasopismo
Applied Surface Science (35pkt w roku publikacji)
ISSN
0169-4332
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2018
Numer zeszytu
Strony od-do
1-9
Numer tomu
vol. 433
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 2
Słowa kluczowe
pol
półprzewodniki III-V
rozcieńczone azotki
konfiguracje wiązań atomów azotu
defekty azotowe
AP-MOVPE
rentgenowska spektroskopia fotoelektronów w funkcji kąta padania wiązki
Inne
System-identifier
000212048
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych