Heavy doping of CdTe single crystals by Cr ion implantation
PBN-AR
Instytucja
Wydział Biotechnologii i Nauk o Środowisku (Katolicki Uniwersytet Lubelski Jana Pawła II w Lublinie)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
EN
Czasopismo
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS (25pkt w roku publikacji)
ISSN
0168-583X
EISSN
Wydawca
ELSEVIER SCIENCE BV
DOI
URL
Rok publikacji
2018
Numer zeszytu
Strony od-do
26-31
Numer tomu
419
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 7
Słowa kluczowe
EN
CdTe
Ion implantation
Doping
Irradiation-induced damage
Rutherford backscattering spectrometry
Secondary ion mass spectrometry
Streszczenia
Język
EN
Treść
Implantation of bulk CdTe single crystals with high fluences of 500 keV Cr+ ions was performed to achieve Cr concentration above the equilibrium solubility limit of this element in CdTe lattice. The structure and composition of the implanted samples were studied using secondary ion mass spectrometry (SIMS), scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive X-ray (EDX) analysis, X-ray diffraction (XRD) and Rutherford back scattering spectrometry (RBS) to characterize the incorporation of chromium into the host lattice and to investigate irradiation-induced damage build-up. It was found that out-diffusion of Cr atoms and sputtering of the targets alter the depth distribution and limit concentration of the projectile ions in the as-implanted samples. Appearance of crystallographically oriented, metallic alpha-Cr nanoparticles inside CdTe matrix was found after implantation, as well as a strong disorder at the depth far beyond the projected range of the implanted ions.
Cechy publikacji
Article
Inne
System-identifier
PX-5acb50b1d5de830a15d3b06b
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych