Basic ammonothermal growth of Gallium Nitride - State of the art, challenges, perspectives
PBN-AR
Instytucja
Wydział Fizyki (Uniwersytet Warszawski)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF MATERIALS (50pkt w roku publikacji)
ISSN
0960-8974
EISSN
Wydawca
PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD
DOI
URL
Rok publikacji
2018
Numer zeszytu
3
Strony od-do
63-74
Numer tomu
64
Link do pełnego tekstu
Liczba arkuszy
Streszczenia
Język
en
Treść
Recent progress in ammonothermal technology of bulk GaN growth in basic environment is presented and discussed in this paper. This method enables growth of two-inch in diameter crystals of outstanding structural properties, with radius of curvature above tens of meters and low threading dislocation density of the order of 5 x 10(4) cm(-2). Crystals with different types of conductivity, n-type with free electron concentration up to 10(19) cm(-3), p-type with free hole concentration of 10(16) cm(-3) and semi-insulating with resistivity exceeding 10(11) Omega cm, can be obtained. Ammonothermal GaN of various electrical properties is described in terms of point defects present in the material. Potential applications of high-quality GaN substrates are also briefly shown.
Cechy publikacji
discipline:Fizyka
discipline:Physics
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:887734
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych