Radiative recombination and other processes related to excess charge carriers, decisive for efficient performance of electronic devices
PBN-AR
Instytucja
Wydział Fizyki (Uniwersytet Warszawski)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Lithuanian Journal of Physics (15pkt w roku publikacji)
ISSN
1648-8504
EISSN
Wydawca
LITHUANIAN PHYSICAL SOC
DOI
URL
Rok publikacji
2018
Numer zeszytu
Strony od-do
49-61
Numer tomu
58
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Streszczenia
Język
en
Treść
We present selected semiconductor (inorganic and organic) structures for which non-radiative recombination of excess charge carriers is very high, luminescence suppressed and its lifetime substantially shortened. Processes competitive with radiative energy emission are discussed. The importance of Shockley–Read–Hall recombination in materials with high impurity or defect concentration, applied in ultrafast devices, is shown. Also, charge transfer process in solar cells is discussed in the context of luminescence quenching of individual components of an active layer. A part of the shown research was a subject of our common work with Prof. Arūnas Krotkus during the period from 1994 till 2006.
Cechy publikacji
discipline:Fizyka
discipline:Physics
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:861532
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych