Influence of ionic interfacial layers on electronic properties of Alq3/Si(100) interface
PBN-AR
Instytucja
Wydział Fizyki i Astronomii (Uniwersytet Wrocławski)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS (20pkt w roku publikacji)
ISSN
0142-2421
EISSN
1096-9918
Wydawca
WILEY-BLACKWELL
DOI
URL
Rok publikacji
2018
Numer zeszytu
6
Strony od-do
623-627
Numer tomu
50
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
Si
AlQ(3)
semiconductor
valence band
UPS
Streszczenia
Język
en
Treść
The electronic structures of Alq(3)/Si(100), Alq(3)/LiBr/Si(100), and Alq(3)/KCl/Si(100) systems are presented in this report. Their energy level diagrams were prepared and discussed. The formation of the LiBr and KCl interfacial layers between an Alq(3) film and a Si(100) substrate results in a decrease of the energy barrier at the interface. The studies were carried out in situ in ultrahigh vacuum by ultraviolet photoelectron spectroscopy. Alq(3) as well as LiBr and KCl layers were vapour evaporated onto n-type Si(100) crystal. The electron affinity of clean Si(100) surface was 4.0eV, and the position of the valence band maximum was 0.7eV below E-F. The energetic distance between the valence band maximum of Si(100) and the highest occupied molecular orbital level were 1.5, 2.6, and 2.2eV, for the Alq(3)/Si(100), Alq(3)/LiBr/Si(100), and Alq(3)/KCl/Si(100) systems, respectively.
Cechy publikacji
original-article
Inne
System-identifier
2018410776
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych