Raman Study of CVD graphene irradiated by swift heavy ions
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektrotechniki i Informatyki (Politechnika Lubelska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
angielski
Czasopismo
JOURNAL OF NANO- AND ELECTRONIC PHYSICS
ISSN
2077-6772
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
3
Strony od-do
03020-1-03020-4
Numer tomu
9
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
(liczba autorów: 10)
Pozostali autorzy
+ 8
Open access
Tryb otwartego dostępu
Otwarte czasopismo
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Wersja opublikowana
Licencja otwartego dostępu
Inna
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Razem z publikacją
Data udostępnienia w sposób otwarty
Streszczenia
Język
EN
Treść
CVD-graphene on silicon was irradiated by accelerated heavy ions (Xe, 160 MeV, fluence of 10(11) cm(-2)) and characterized by Raman spectroscopy. The defectiveness of pristine graphene was found to be dominated by grain boundaries while after irradiation it was determined by both grain boundaries and vacancies. Respectively, average inter-defect distance decreased from similar to 24 to similar to 13 nm. Calculations showed that the ion irradiation resulted in a decrease in charge carrier mobility from similar to 4.0 x 10(3) to similar to 1.3 . 10(3) cm(2)/V s. The results of the present study can be used to control graphene structure, especially vacancies concentration, and charge carrier mobility.
Inne
System-identifier
27018
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych