Light influence on the sheet resistance of AlGaN/GaN heterostructures grown by MOVPE technique
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (Politechnika Wrocławska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
eng
Czasopismo
Crystal Research and Technology (20pkt w roku publikacji)
ISSN
0232-1300
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2018
Numer zeszytu
nr 11, art. 1800157
Strony od-do
1-4
Numer tomu
vol. 53
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
pol
azotki
rezystancja powierzchniowa
MOVPE
głębokie poziomy energetyczne
AlGaN/GaN
Inne
System-identifier
000216907
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych