Influence of rapid thermal annealing temperature on the photoluminescence of Tb ions embedded in silicon nitride films
PBN-AR
Instytucja
Wydział Podstawowych Problemów Techniki (Politechnika Wrocławska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
eng
Czasopismo
Thin Solid Films
ISSN
0040-6090
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2019
Numer zeszytu
Strony od-do
55-10
Numer tomu
vol. 675
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
pol
jony ziem rzadkich
cienkie warstwy
spektroskopia optyczna
Inne
System-identifier
000221628
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych