Extremely Low-Voltage Bulk-Driven Tunable Transconductor
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektryczny (Politechnika Częstochowska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Circuits Systems and Signal Processing (25pkt w roku publikacji)
ISSN
0278-081X
EISSN
1531-5878
Wydawca
Springer Birkhauser
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
Iss.2
Strony od-do
511-524
Numer tomu
Vol.36
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
(liczba autorów: 3)
Pozostali autorzy
+ 2
Autorzy przekładu
(liczba autorów przekładu: 0)
Słowa kluczowe
en
low-voltage low-power MOS
bulk-driven technique
transconductor
Streszczenia
Język
en
Treść
A design solution for bulk-driven tunable transconductor capable of working under extremely low supply/consumption with rail-to-rail input common-mode range is presented in this work. The proposed transconductor topology consists of six bulk-driven CMOS inverters, and it uses a very simple biasing circuit for the transconductance tuning. The design robustness was verified for 0.5 and 0.25 V power supplies offering the advantages of the current-controlled input transconductance. For 0.5 V power supply, the proposed transconductor has 0.075–10.2 μS transconductance tuning range, input-referred intercept point IP3 = 1.81 V, and 4.62 MHz bandwidth for 3 μA current consumption. The design robustness of the tunable transconductor was verified by means of computer simulation using triple-well 0.18 μm CMOS process.
Cechy publikacji
original-article
Inne
System-identifier
56921
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych