Ab initio studies of early stages of AlN and GaN growth on 4H-SiC
PBN-AR
Instytucja
Wydział Matematyczno-Przyrodniczy (Uniwersytet Rzeszowski)
Książka
Tytuł książki
Physics of semiconduction
Data publikacji
2013
ISBN
978-0-7354-1194-4
Wydawca
American Institute of Physics
Publikacja
Główny język publikacji
en
Tytuł rozdziału
Ab initio studies of early stages of AlN and GaN growth on 4H-SiC
Rok publikacji
2013
Strony (od-do)
55-56
Numer rozdziału
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0.2
Hasło encyklopedyczne
Autorzy
(liczba autorów: 4)
Pozostali autorzy
+ 3
Słowa kluczowe
en
adsorption
Gallium
silicon carbide
aluminum
Konferencja
Indeksowana w Scopus
tak
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
ICPS
Nazwa konferencji
31st International Conference on the Physics of Semiconductors
Początek konferencji
2012-07-29
Koniec konferencji
2012-08-03
Lokalizacja konferencji
Zurich
Kraj konferencji
CH
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Cechy publikacji
chapter-in-a-book
Inne
System-identifier
0000049090
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych