Wyszukiwanie obejmuje jedynie prace już zarchiwizowane w Module Sprawozdawczym PBN.

Przetwarzanie...


Źródło
Rok publikacji
–
Typ
Filtruj
Sortowanie:
Tytuł
Tytuł
Rok
Rok
Najstarsza modyfikacja
Ostatnia modyfikacja
Artykuł PBN-AR
Advances in AlGaInN laser diode technology
10.1117/12.2039253
Zmodyfikowano: 02/10/2017 15:09:20 przez:
Autorzy
(liczba autorów: 12)
Łucja Marona
Tadeusz Suski
Michał Boćkowski
Robert Czernecki
AE Kelly
R Kucharski
Michał Leszczyński
Stephen P Najda
Piotr Perlin
G Targowski
+ 2
Źródło
PROCEEDINGS OF SPIE
Rok
2014
Źródłowe Zdarzenia Ewaluacyjne
Advances in AlGaInN laser diode technology (zgłoszony przez Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk)
Artykuł PBN-AR
Gain saturation in InGaN superluminescent diodes
10.1117/12.2039862
Zmodyfikowano: 26/08/2016 14:49:45 przez:
Autorzy
(liczba autorów: 5)
Anna Kafar
Szymon Stańczyk
G Targowski
Tadeusz Suski
Piotr Perlin
Źródło
PROCEEDINGS OF SPIE
Rok
2014
Źródłowe Zdarzenia Ewaluacyjne
Gain saturation in InGaN superluminescent diodes (zgłoszony przez Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk)
Artykuł PBN-AR
Graded-index separate confinement heterostructure InGaN laser diodes
10.1063/1.4857695
Zmodyfikowano: 07/04/2017 03:21:07 przez:
Autorzy
(liczba autorów: 13)
Ewa Grzanka
Szymon Grzanka
Michał Leszczyński
Piotr Perlin
Szymon Stańczyk
Tadeusz Suski
Agata Marta Bojarska
Jakub Goss
Anna Kafar
Robert Czernecki
+ 3
Źródło
Applied Physics Letters (segment A pozycja 966, 40 pkt.)
Rok
2013
Źródłowe Zdarzenia Ewaluacyjne
Graded-index separate confinement heterostructure InGaN laser diodes (zgłoszony przez Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk)