Wyszukiwanie obejmuje jedynie prace już zarchiwizowane w Module Sprawozdawczym PBN.

Przetwarzanie...


Źródło
Rok publikacji
–
Typ
Filtruj
Sortowanie:
Tytuł
Tytuł
Rok
Rok
Najstarsza modyfikacja
Ostatnia modyfikacja
Artykuł PBN-AR
Analysis of Incubation Times for the Self-Induced Formation of GaN Nanowires: Influence of the Substrate on the Nucleation Mechanism
10.1021/acs.cgd.6b01396
Zmodyfikowano: 13/03/2017 12:22:40 przez:
Autorzy
(liczba autorów: 5)
Kamil Kłosek
Marta Maria Sobańska
Zbigniew Żytkiewicz
Giorgi Tchutchulashvili
+ 1
Źródło
CRYSTAL GROWTH & DESIGN (segment A pozycja 2769, 40 pkt.)
Rok
2016
Źródłowe Zdarzenia Ewaluacyjne
Analysis of Incubation Times for the Self-Induced Formation of GaN Nanowires: Influence of the Substrate on the Nucleation Mechanism (zgłoszony przez Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk)
Artykuł PBN-AR
Arrangement of GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on silicon substrates with amorphous Al(2)O(3) buffers
10.1016/j.jcrysgro.2014.01.007
Zmodyfikowano: 21/02/2017 03:21:24 przez:
Autorzy
(liczba autorów: 7)
Sylwia Aldona Gierałtowska
Kamil Kłosek
Marta Sobańska
Aleksandra Wierzbicka
Zbigniew Żytkiewicz
Giorgi Tchutchulashvili
Jolanta Borysiuk
Źródło
Journal of Crystal Growth (segment A pozycja 6260, 30 pkt.)
Rok
2014
Źródłowe Zdarzenia Ewaluacyjne
Arrangement of GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on silicon substrates with amorphous Al(2)O(3) buffers (zgłoszony przez Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk)
Artykuł PBN-AR
Arrangement of GaN nanowires on Si(001) substrates studied by X-ray diffraction: Importance of silicon nitride interlayer
10.1016/j.apsusc.2017.07.075
Zmodyfikowano: 20/07/2018 03:25:37 przez:
Autorzy
(liczba autorów: 8)
Jarosław Domagała
Kamil Kłosek
Roman Minikayev
Marta Maria Sobańska
Aleksandra Wierzbicka
Zbigniew Żytkiewicz
Giorgi Tchutchulashvili
+ 1
Źródło
Applied Surface Science (35pkt w roku publikacji) (segment A pozycja 984, 35 pkt.)
Rok
2017
Źródłowe Zdarzenia Ewaluacyjne
Arrangement of GaN nanowires on Si(001) substrates studied by X-ray diffraction: Importance of silicon nitride interlayer (zgłoszony przez Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk)
Artykuł PBN-AR
Mechanizm spontanicznego zarodkowania i wzrostu techniką MBE oraz właściwości nanodrutów GaN
Zmodyfikowano: 24/03/2017 16:33:14 przez:
Autorzy
(liczba autorów: 6)
Kamil Kłosek
Marta Sobańska
Aleksandra Wierzbicka
Zbigniew Żytkiewicz
Giorgi Tchutchulashvili
Jolanta Agnieszka Borysiuk
Źródło
Postępy Fizyki
Rok
2016
Źródłowe Zdarzenia Ewaluacyjne
Mechanizm spontanicznego zarodkowania i wzrostu techniką MBE oraz właściwości nanodrutów GaN (zgłoszony przez Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk)
Artykuł PBN-AR
Self-assembled growth of GaN nanowires on amorphous Al x O y : from nucleation to the formation of dense nanowire ensembles
10.1088/0957-4484/27/32/325601
Zmodyfikowano: 27/01/2017 02:32:28 przez:
Autorzy
(liczba autorów: 7)
Sylwia Aldona Gierałtowska
Marta Sobańska
Zbigniew Żytkiewicz
Giorgi Tchutchulashvili
+ 3
Źródło
Nanotechnology (segment A pozycja 8672, 35 pkt.)
Rok
2016
Źródłowe Zdarzenia Ewaluacyjne
Self-assembled growth of GaN nanowires on amorphous Al x O y : from nucleation to the formation of dense nanowire ensembles (zgłoszony przez Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk)