×

Serwis używa ciasteczek ("cookies") i podobnych technologii m.in. do utrzymania sesji i w celach statystycznych. • Ustawienia przeglądarki dotyczące obsługi ciasteczek można swobodnie zmieniać. • Całkowite zablokowanie zapisu ciasteczek na dysku komputera uniemożliwi logowanie się do serwisu. • Więcej informacji: Polityka cookies OPI PIB

×

Regulamin korzystania z serwisu PBN znajduję się pod adresem: Regulamin serwisu

Szukaj wśród:
Dane publikacji

A comparative DFT study of electronic properties of 2H-, 4H- and 6H-SiC(0001) and SiC(0001) clean surfaces: significance of the suface Stark effect

Artykuł
Czasopismo : NEW JOURNAL OF PHYSICS   Zeszyt: 12, Strony: 1-18
2010 angielski
Zacytuj dokument
-