×

Serwis używa ciasteczek ("cookies") i podobnych technologii m.in. do utrzymania sesji i w celach statystycznych. • Ustawienia przeglądarki dotyczące obsługi ciasteczek można swobodnie zmieniać. • Całkowite zablokowanie zapisu ciasteczek na dysku komputera uniemożliwi logowanie się do serwisu. • Więcej informacji: Polityka cookies OPI PIB

×

Regulamin korzystania z serwisu PBN znajduję się pod adresem: Regulamin serwisu

Szukaj wśród:
Dane publikacji

Density functional study of GaN(0001)/AIN(0001) high electron mobility transistor structures

Artykuł
Czasopismo : Journal of Crystal Growth   Tom: 401, Strony: 30-32
2014 angielski
Link do publicznie dostępnego pełnego tekstu
Identyfikatory
-
Cechy publikacji
-
  • Oryginalny artykuł naukowy
  • Zrecenzowana naukowo
Dyscypliny naukowe
-
Chemia , Fizyka , Inżynieria materiałowa
Abstrakty ( angielski )
-
AlN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structures were theoretically investigated using the density functional theory (DFT). An existence of two-dimensional electron gas (2DEG), generated by strong polarization fields at the AlN/GaN interface, was confirmed by ab initio calculations. The potential profiles were analyzed for the HEMTs with different number of AlN layers, indicating that very thin AlN barrier could not provide a high density of carriers and good confinement of 2DEG. It was shown that for six AlN layers (thickness about 13 Å), no electron gas is present as shown by the potential profile. In the investigated electronic structure, the band states associated with the two-dimensional electron gas were identified. It was shown that for a thicker AlN barrier, the occupancy of this states is higher, that is consistent with the experimental data (Dabiran et al., Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 082111).
Zacytuj dokument
-