×

Serwis używa ciasteczek ("cookies") i podobnych technologii m.in. do utrzymania sesji i w celach statystycznych. • Ustawienia przeglądarki dotyczące obsługi ciasteczek można swobodnie zmieniać. • Całkowite zablokowanie zapisu ciasteczek na dysku komputera uniemożliwi logowanie się do serwisu. • Więcej informacji: Polityka cookies OPI PIB

×

Regulamin korzystania z serwisu PBN znajduję się pod adresem: Regulamin serwisu

Szukaj wśród:
Dane publikacji

Influence of a parallel electric field on the dispersion relation of graphene – A new route to Dirac logics

Artykuł
Czasopismo : Journal of Crystal Growth   Tom: 401, Strony: 869-873
Stanisław Krukowski [1] , [2] , Jakub Sołtys [1] , Jolanta Borysiuk [3] , [4] , Jacek Piechota [1]
2014-09-01 angielski
Link do publicznie dostępnego pełnego tekstu
Identyfikatory
-
Cechy publikacji
-
  • Oryginalny artykuł naukowy
  • Zrecenzowana naukowo
  • Konferencyjna
  • Indeksowana w Web of Science
Dyscypliny naukowe
-
Chemia , Elektronika , Fizyka , Inżynieria materiałowa
Słowa kluczowe
-
Dane konferencji
-
  1. ICCGE-17 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
  2. 2013-08-11 - 2013-08-16
  3. Warszawa, Polska
Abstrakty ( angielski )
-
Ab initio density functional theory (DFT) simulations were used to investigate an influence of an electric field, parallel to single and multilayer graphene, on its electron dispersion relations close to the K point. It was shown that for both single layer and AAAA stacking multilayer graphene under an influence of a parallel field the dispersion relations transform to nonlinear ones. The effect, associated with the hexagonal symmetry breaking, opens a new route to high speed transistors and logical devices working in the Dirac regime. The implementation of such a device is presented below. (C) 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.
Zacytuj dokument
-