×

Serwis używa ciasteczek ("cookies") i podobnych technologii m.in. do utrzymania sesji i w celach statystycznych. • Ustawienia przeglądarki dotyczące obsługi ciasteczek można swobodnie zmieniać. • Całkowite zablokowanie zapisu ciasteczek na dysku komputera uniemożliwi logowanie się do serwisu. • Więcej informacji: Polityka cookies OPI PIB

×

Regulamin korzystania z serwisu PBN znajduję się pod adresem: Regulamin serwisu

Szukaj wśród:
Dane publikacji

Hydrogen intercalation of single and multiple layer graphene synthesized on Si-terminated SiC(0001) surface

Artykuł
Czasopismo : Journal of Applied Physics   Tom: 116, Strony: 1-7
2014 angielski
Link do publicznie dostępnego pełnego tekstu
Identyfikatory
-
Cechy publikacji
-
  • Oryginalny artykuł naukowy
  • Zrecenzowana naukowo
Dyscypliny naukowe
-
Chemia , Fizyka , Inżynieria materiałowa
Abstrakty ( angielski )
-
Ab initio density functional theory simulations were used to investigate the influence of hydrogen intercalation on the electronic properties of single and multiple graphene layers deposited on the SiC(0001) surface (Si-face). It is shown that single carbon layer, known as a buffer layer, covalently bound to the SiC substrate, is liberated after hydrogen intercalation, showing characteristic Dirac cones in the band structure. This is in agreement with the results of angle resolved photoelectron spectroscopy measurements of hydrogen intercalation of SiC-graphene samples. In contrast to that hydrogen intercalation has limited impact on the multiple sheet graphene, deposited on Si-terminated SiC surface. The covalently bound buffer layer is liberated attaining its graphene like structure and dispersion relation typical for multilayer graphene. Nevertheless, before and after intercalation, the four layer graphene preserved the following dispersion relations in the vicinity of K point: linear for (AAAA) stacking, direct parabolic for Bernal (ABAB) stacking and “wizard hat” parabolic for rhombohedral (ABCA) stacking.
Zacytuj dokument
-