×

Serwis używa ciasteczek ("cookies") i podobnych technologii m.in. do utrzymania sesji i w celach statystycznych. • Ustawienia przeglądarki dotyczące obsługi ciasteczek można swobodnie zmieniać. • Całkowite zablokowanie zapisu ciasteczek na dysku komputera uniemożliwi logowanie się do serwisu. • Więcej informacji: Polityka cookies OPI PIB

×

Regulamin korzystania z serwisu PBN znajduję się pod adresem: Regulamin serwisu

Szukaj wśród:
Dane publikacji

DFT modeling of AlN/GaN multi-quantum wells

Artykuł
Czasopismo : Physica Status Solidi. C : Current Topics in Solid State Physics   Tom: 10, Zeszyt: 3, Strony: 323-326
2013-01 angielski
Liczba arkuszy: 0,5
Link do publicznie dostępnego pełnego tekstu
Identyfikatory
-
Cechy publikacji
-
  • Oryginalny artykuł naukowy
  • Zrecenzowana naukowo
  • Konferencyjna
  • Indeksowana w Web of Science
Dyscypliny naukowe
-
Fizyka
Słowa kluczowe
-
Dane konferencji
-
  1. ISGN4 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides
  2. 2012-07-16 - 2012-07-19
  3. Saint Petersburg, Rosja
Abstrakty ( angielski )
-
Density functional theory simulations have been used to obtain physical properties of AlN/GaN multi-quantum well (MQW) system characterized by equal width of wells and barriers. Such structure could have different thickness that affects their optical and electronic properties. For thickness up to 4 metal atomic layers, GaN region behaves as potential local minimum while for larger thickness it is a standard quantum well. Separation of an electron and hole wavefunction affects negatively radiative transition probabilities. Reduction of optical efficiency for systems with different structure width was determined by calculation of oscillator strength values. Field intensities along c-direction and the change of the energy of the optical transitions, due to quantum confined Stark effect (QCSE), were also obtained.
Zacytuj dokument
-