×

Serwis używa ciasteczek ("cookies") i podobnych technologii m.in. do utrzymania sesji i w celach statystycznych. • Ustawienia przeglądarki dotyczące obsługi ciasteczek można swobodnie zmieniać. • Całkowite zablokowanie zapisu ciasteczek na dysku komputera uniemożliwi logowanie się do serwisu. • Więcej informacji: Polityka cookies OPI PIB

×

Regulamin korzystania z serwisu PBN znajduję się pod adresem: Regulamin serwisu

Szukaj wśród:
Dane publikacji

Influence of pressure on the properties of GaN/AlN multi-quantum wells – Ab initio study

Artykuł
Czasopismo : JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS   Tom: 93, Strony: 100-117
Paweł Strąk [1] , Konrad Sakowski [1] , Agata Kamińska [2] , [3] , Stanisław Krukowski [1] , [4]
2016-06 angielski
Link do publicznie dostępnego pełnego tekstu
Identyfikatory
-
Cechy publikacji
-
  • Oryginalny artykuł naukowy
  • Zrecenzowana naukowo
Dyscypliny naukowe
-
Chemia , Fizyka
Słowa kluczowe
-
Abstrakty ( angielski )
-
Pressure dependence of physical properties of GaN/AlN multi-quantum wells (MQWs) was investigated using ab intio calculations. The influence of pressure was divided into two main contributions: pressure affecting the properties of GaN and AlN bulk semiconductors and an influence on systems of polar quantum wells deposited on various substrates. An influence of hydrostatic, uniaxial, and tetragonal strain on the crystallographic structure, polarization (piezoelectricity), and the bandgap of the bulk systems is assessed using ab initio calculations. It was shown that when a partial relaxation of the structure is assumed, the tetragonal strain may explain an experimentally observed reduction of pressure coefficients for polar GaN/AlN MQWs. The MQWs were also simulated directly using density functional theory (DFT) calculations. A comparison of these two approaches confirmed that nonlinear effects induced by the tetragonal strain related to lattice mismatch between the substrates and the polar MQWs systems are responsible for a drastic decrease of the pressure coefficients of photoluminescence (PL) energy experimentally observed in polar GaN/AlGaN MQWs. (C) 2016 Elsevier Ltd. All rights reserved.
Zacytuj dokument
-