×

Serwis używa ciasteczek ("cookies") i podobnych technologii m.in. do utrzymania sesji i w celach statystycznych. • Ustawienia przeglądarki dotyczące obsługi ciasteczek można swobodnie zmieniać. • Całkowite zablokowanie zapisu ciasteczek na dysku komputera uniemożliwi logowanie się do serwisu. • Więcej informacji: Polityka cookies OPI PIB

×

Regulamin korzystania z serwisu PBN znajduję się pod adresem: Regulamin serwisu

Szukaj wśród:
Dane publikacji

Electronic charge transfer contribution in adsorption of silicon at SiC(0001) surface – density functional theory (DFT) study

Artykuł
Czasopismo : Applied Surface Science   Tom: 393, Strony: 168–179
Jakub Sołtys [1] , Jacek Piechota [1] , Paweł Strąk [2] , Stanislaw Krukowski [1] , [2]
2017 angielski
Link do publicznie dostępnego pełnego tekstu
Identyfikatory
-
Cechy publikacji
-
  • Oryginalny artykuł naukowy
  • Zrecenzowana naukowo
Tłumaczenie tytułu
-
Wkład elektronowego przeniesienia ładunku do adsorpcji krzemu na powierzchni SiC(0001) - badania teorią funkcjonału gęstości (DFT)
Dyscypliny naukowe
-
Chemia , Fizyka , Inżynieria materiałowa
Słowa kluczowe
-
Abstrakty ( angielski )
-
Properties of the SiC(0001) surface under various Si coverage were studied using density func-tional theory (DFT) calculations. It was shown that the clean SiC(0001) surface has the Fermi level pinned by the Si broken bond state, located 0.8 eV below the conduction band minimum (CBM). The single Si atom is adsorbed in the H3 site, saturating broken bonds of the three neigh-boring Si atoms and that leads to the reconstruction. The energy of Si atom adsorp-tion at the clean SiC(0001) surface is equal to 7.1 eV for single atom. It is reduced to approxi-mately 6.7 eV and 5.0 eV, for the coverage below and above 0.25 monolayer (ML), respectively. The adsorption energy jump of about 1.7 eV is due to electron transfer in which Si adatom states accommodate four electrons from Si broken bonds states. In addition adsorption of Si atoms at coverage exceeding 0.4 ML leads to occupation of H3 sites that share Si surface top atoms with other Si adatoms which further reduces the adsorption energy to 4.2 eV. The Si on-top position has the same energy which indicates on transition to this occupation for higher coverage. Accord-ingly, the vapor-surface equilibrium shows decrease of Si pressure by 3 orders of magnitude in the 0.25 - 0.40 Si ML coverage range. It is therefore expected that in typical SiC vapor growth, the Si coverage of the SiC(0001) surface is close to 0.3 ML
Pełny tekst
-
  1. Rodzaj tekstu: Ostateczna wersja autorska
  2. Licencja: Creative Commons BY 3.0 PL
  3. Pliki
    1. SiC-adsorp-Si-C-45.pdf, 11 511 kB Pobierz plik
Zacytuj dokument
-