×

Serwis używa ciasteczek ("cookies") i podobnych technologii m.in. do utrzymania sesji i w celach statystycznych. • Ustawienia przeglądarki dotyczące obsługi ciasteczek można swobodnie zmieniać. • Całkowite zablokowanie zapisu ciasteczek na dysku komputera uniemożliwi logowanie się do serwisu. • Więcej informacji: Polityka cookies OPI PIB

×

Regulamin korzystania z serwisu PBN znajduję się pod adresem: Regulamin serwisu

Szukaj wśród:
Dane publikacji

Intrasurface Electron Transition Contribution to Energy of Adsorption of Silicon at the SiC(0001) Surface – A Density Functional Theory (DFT) Study

Artykuł
Czasopismo : Journal of Crystal Growth   Tom: 468, Strony: 870-873
2017 angielski
Link do publicznie dostępnego pełnego tekstu
Identyfikatory
-
Cechy publikacji
-
  • Oryginalny artykuł naukowy
  • Zrecenzowana naukowo
Tłumaczenie tytułu
-
Międzypłaszczyznowy wkład elektronowy do adsorpcji krzemu na powierzchni SiC(0001) - badania formalizmem teorii funkcjonału gęstości (DFT).
Dyscypliny naukowe
-
Chemia , Fizyka , Inżynieria materiałowa
Słowa kluczowe
-
Abstrakty ( angielski )
-
Adsorption of silicon and carbon atoms at polar SiC(0001) and SiC(0001) surfaces at low cover-age was studied using ab initio calculations. The single Si atom is adsorbed in the H3 site at both surfaces, saturating broken bonds of the three neighboring atoms. The adsorption of carbon atom at carbon terminated SiC(0001) surface leads to sp2 graphene-like reconstruction and the release of silicon atom. The adsorption energy of all constituents is high exceeding 6 eV. The energy bar-riers for diffusion of all atoms were calculated showing that Si atom is highly mobile at SiC(0001) surface. C adatom at SiC(0001) and Si adatom at SiC(0001) mobility is several order of magni-tude lower. C adatom destroys SiC(0001) lattice, thus excess of carbon is detrimental to SiC growth.
Pełny tekst
-
  1. Rodzaj tekstu: Ostateczna wersja autorska
  2. Licencja: Creative Commons BY 3.0 PL
  3. Pliki
    1. SiC-adsorption-SiC-3.pdf, 91 kB Pobierz plik
Zacytuj dokument
-